IXFH12N120P Купить - IXYS Semiconductor Высоковольтное MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IXFH12N120P

IXYS Semiconductor

TO-247 N-CH 1200V 12A

Наличие: 1,288 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 263.89

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

IXYS Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC47705522

Категория продукта:

Высоковольтное MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IXFH12N120P характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IXFH12N120P
Производитель	IXYS Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC47705522
Категория продукта	Высоковольтное MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	1.35 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	543 W
Пороговое Напряжение	6.5 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	1.2 kV
Непрерывный Ток Стока (Ids)	12A
Время Нарастания	25 ns
Входная емкость (Ciss)	5400pF @25V(Vds)
Время падения	34 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	543W (Tc)
Длина	16.26 mm
Ширина	5.3 mm
Высота	21.46 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
	Показывать Просмотр аналоги замена

IXFH12N120P описание продукта

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
VDSS = 1200V
ID25 = 12A
RDS(on) ≤ 1.35Ω
trr ≤ 300ns
Features
International standard packages
Fast recovery diode
Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
Applications:
High Voltage Switched-mode and resonant-mode power supplies
High Voltage Pulse Power Applications
High Voltage Discharge circuits in Lasers Pulsers, Spark Igniters, RF Generators
High Voltage DC-DC converters
High Voltage DC-AC inverters

Показывать

IXFH12N120P Даташит PDF

4 страницы, 163 КБ

просматривать

IXFH12N120P Даташит PDF

4 страницы, 178 КБ

03/28/2012

просматривать

IXFH12N120P Даташит PDF

5 страницы, 174 КБ

02/14/2016

просматривать

IXFH12N120P Другие Даташит

4 страницы, 175 КБ

06/12/2008

просматривать

IXFH12N120P Чертежные схемы

1 страницы, 89 КБ

05/24/2005

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/06/17 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H2.17485LO59382V60Q1QC0S1