IRS2108PBF Купить - Infineon Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRS2108PBF

Infineon

600V Half Bridge Driver IC with typical 0.29A source and 0.6A sink currents in 8 Lead PDIP package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead SOIC, 14 Lead SOIC (IRS21084S), and 14 Lead PDIP (IRS21084).

Наличие: 66 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 332.37

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC15355903

Категория продукта:

Драйвер FET

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRS2108PBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRS2108PBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC15355903
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	PDIP-8
Напряжение Питания (DC)	10.0V (min)
Номинальная Мощность	1 W
Время Нарастания/Спада	100ns, 35ns
Количество Выходных Интерфейсов	2 Output
Выходное Напряжение	600 V
Выходной Ток	290.600 mA
Количество Каналов	2 Channel
Рассеяние Мощности	1 W
Время Нарастания	220 ns
Время падения	80 ns
Время падения (Макс)	80 ns
Время падения (Макс)	220 ns
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1000 mW
Напряжение питания	10V ~ 20V
Напряжение питания (Макс)	20 V
Напряжение питания (мин)	10 V
Длина	10.92 mm
Ширина	7.11 mm
Высота	5.33 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRS2108PBF описание продукта

Summary of Features:
Floating gate driver designed for bootstrap operation
Fully operational to +600 V
Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune
Gate drive supply range from 10 V to 20 V
Undervoltage lockout for both channels
3.3 V, 5 V, and 15 V logic input compatible
Cross-conduction prevention logic
Matched propagation delay for both channels
High-side output in phase with HIN input
Low-side output out of phase with LIN input
Logic and power ground +/- 5 V offset
Internal 540 ns deadtime
Lower di/dt gate driver for better noise immunity

Показывать

IRS2108PBF Даташит PDF

25 страницы, 1082 КБ

05/09/2006