IRLR3410PBF Купить - Infineon Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRLR3410PBF

Infineon

DPAK N-CH 100V 17A

Наличие: 4,782 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 39.37

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC11253107

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 20.08.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRLR3410PBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRLR3410PBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC11253107
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-252-3
Номинальная Мощность	52 W
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.105 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	79 W
Пороговое Напряжение	2 V
Входная Ёмкость	800 pF
Напряжение Сток-исток (Vds)	100 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	17A
Время Нарастания	53 ns
Входная емкость (Ciss)	800pF @25V(Vds)
Время падения	26 ns
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	79W (Tc)
Длина	6.73 mm
Ширина	6.22 mm
Высота	2.39 mm
Материал	Silicon
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	Compliant with Exemption
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRLR3410PBF описание продукта

The IRLR3410PBF is a 100V single N-channel HEXFET® Power MOSFET, fifth generation HEXFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET is well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The D-PAK is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface mount applications.
Logic level gate drive
Ultra low on-resistance
Surface mount
Advanced process technology
Fast switching
Fully avalanche rated

Показывать

IRLR3410PBF Даташит PDF

11 страницы, 286 КБ

12/08/2004