IRGP4063DPBF Купить - Infineon Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRGP4063DPBF

Infineon

IGBT Single Transistor, 96A, 2.14V, 330W, 600V, TO-247AC, 3Pins

Наличие: 1,787 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 192.06

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC6218433

Категория продукта:

Транзистор IGBT

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRGP4063DPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRGP4063DPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC6218433
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Номинальное Напряжение (DC)	300 V
Номинальный Ток	96.0 A
Номинальная Мощность	330 W
Количество Стежков	3 Position
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	330 W
Серия Деталей	IRGP4063D
Заряд Затвора	140 nC
Напряжение Сток-исток (Vds)	300 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	96.0 A
Время Нарастания	56.0 ns
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	600 V
Обратное время восстановления	115 ns
Максимальная входная мощность	330 W
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	330000 mW
Длина	15.9 mm
Ширина	5.3 mm
Высота	20.3 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Bulk
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRGP4063DPBF описание продукта

The IRGP4063DPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It features rugged transient performance for increased reliability and excellent current sharing in parallel operation. It is suitable for a wide range of switching frequencies due to low VCE (ON) and low switching losses.
Low VCE (ON) Trench IGBT technology
Low switching losses
Square RBSOA
100% of Parts tested for 4X rated current (ILM)
Positive VCE (ON) temperature coefficient
Ultrafast soft recovery co-pack diode
Tight parameter distribution
High efficiency in a wide range of applications
Low EMI
5µs Short-circuit SOA

Показывать

IRGP4063DPBF Даташит PDF

11 страницы, 341 КБ

03/15/2013