BOM Цитировать
| Атрибут | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Номенклатура | IRGB20B60PD1PBF | |
| Производитель | Infineon | |
| ЧипСити Номер продукта | CC13155637 | |
| Категория продукта | Транзистор IGBT | |
| Даташит | Datasheet | |
| 3D модель | 3D модель | |
| Стиль Монтажа | Through Hole | |
| Количество Выводов | 3 Pin | |
| Корпус/Пакет | TO-220-3 | |
| Номинальная Мощность | 215 W | |
| Количество Стежков | 3 Position | |
| Полярность | N-Channel | |
| Рассеяние Мощности | 215 W | |
| Время Нарастания | 5.00 ns | |
| Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер) | 600 V | |
| Тепловое Сопротивление | 0.58℃/W (RθJC) | |
| Обратное время восстановления | 28 ns | |
| Максимальная входная мощность | 215 W | |
| Рабочая температура (Макс) | 150 ℃ | |
| Рабочая температура (мин) | -55 ℃ | |
| Рассеиваемая Мощность (Макс) | 215000 mW | |
| Длина | 10.54 mm | |
| Ширина | 4.69 mm | |
| Высота | 8.77 mm | |
| Рабочая Температура | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | |
| Жизненный Цикл Продукта | Active | |
| Упаковка | Tube | |
| RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
| Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
| ECCN кодекс | EAR99 | |
|
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
Поиск деталей онлайн
