IRFZ24NPBF Купить - International Rectifier Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

Проверка качества компонентов

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Глобальные поставки с
локальной надёжностью

Chipcity принимает
участие в выставке
EXPO ELECTRONICA 2027

13 – 15 АПРЕЛЯ 2027

Москва

IRFZ24NPBF

International Rectifier

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.07Ω; ID 17A; TO-220AB; PD 45W; VGS +/-20V

Наличие: 9,441 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки:

Цена: ₽ 52.34

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

International Rectifier

ЧипСити Номер продукта:

CC11740923

Категория продукта:

Труба MOS

Упаковка: TO-220-3

Дата доставки: 7 дней

Оплата:

Обновлено 15.06.2026, 07:48:07(GMT+3)

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

IRFZ24NPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRFZ24NPBF
Производитель	International Rectifier
ЧипСити Номер продукта	CC11740923
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-3
Номинальное Напряжение (DC)	55.0 V
Номинальный Ток	17.0 A
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	70 mΩ
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	45 W
Серия Деталей	IRFZ24N
Пороговое Напряжение	4 V
Входная Ёмкость	370pF @25V
Напряжение Сток-исток (Vds)	55 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	55 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±20.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	17.0 A
Время Нарастания	34 ns
Входная емкость (Ciss)	370pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	45 W
Время падения	27 ns
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	45000 mW
Длина	10.54 mm
Высота	15.24 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃
Упаковка	Rail, Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

IRFZ24NPBF описание продукта

**N-Channel Power MOSFET 13A to 19A, Infineon**
Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Показывать

IRFZ24NPBF Даташит PDF

9 страницы, 243 КБ

02/10/2004