IRFP4368PBF Купить - Infineon Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRFP4368PBF

Infineon

TO-247AC N-CH 75V 350A

Наличие: 1,800 шт.

Адрес доставки:

Цена: ₽ 230.28

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC1145582

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 16.05.2024, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRFP4368PBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRFP4368PBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC1145582
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Номинальная Мощность	520 W
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.00146 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	520 W
Пороговое Напряжение	4 V
Входная Ёмкость	19230 pF
Напряжение Сток-исток (Vds)	75 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	75 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	350A
Время Нарастания	220 ns
Входная емкость (Ciss)	19230pF @50V(Vds)
Максимальная входная мощность	520 W
Время падения	260 ns
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	520W (Tc)
Длина	15.87 mm
Ширина	5.31 mm
Высота	20.7 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRFP4368PBF описание продукта

The IRFP4368PBF is a 75V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.
Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
Fully characterized capacitance and avalanche SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability

Показывать

IRFP4368PBF Даташит PDF

8 страницы, 278 КБ

06/02/2008

просматривать

IRFP4368PBF Справочное руководство пользователя

270 страницы, 11877 КБ

11/08/2017

просматривать

IRFP4368PBF Другие Даташит

30 страницы, 664 КБ

просматривать

IRFP4368PBF Чертежные схемы

2 страницы, 176 КБ

08/19/2015

просматривать

IRFP4368PBF Примечание по применению

37 страницы, 2068 КБ

01/09/2017

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2024/05/16 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H6.7867LO20647V12Q0QC0S0