IR2181PBF Купить - Infineon Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IR2181PBF

Infineon

MOSFET DRVR 600V 2.3A 2Out Hi/Lo Side Non-Inv 8Pin PDIP Tube

Наличие: 895 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 133.26

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC42083837

Категория продукта:

Драйвер FET

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IR2181PBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IR2181PBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC42083837
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	DIP-8
Время Нарастания/Спада	40ns, 20ns
Количество Выходных Интерфейсов	2 Output
Выходной Ток	1.9 A
Количество Стежков	8 Position
Рассеяние Мощности	1 W
Время Нарастания	60 ns
Время падения	35 ns
Время падения (Макс)	35 ns
Время падения (Макс)	60 ns
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1000 mW
Напряжение питания	10V ~ 20V
Напряжение питания (Макс)	20 V
Напряжение питания (мин)	10 V
Длина	10.92 mm
Ширина	7.11 mm
Высота	5.33 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IR2181PBF описание продукта

The IR2181PBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Driver with an independent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.
Floating channel designed for bootstrap operation
Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
Under-voltage lockout for both channels
Matched propagation delay for both channels
Logic and power ground ±5V offset
Lower di/dt gate driver for better noise immunity
Output source/sink current capability 1.4/1.8A

Показывать

IR2181PBF Даташит PDF

21 страницы, 365 КБ

10/27/2004