IR2153DPBF Купить - Infineon Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IR2153DPBF

Infineon

MOSFET DRVR 600V 0.4A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin PDIP T/R

Наличие: 45 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 204.60

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC3762630

Категория продукта:

Драйвер FET

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IR2153DPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IR2153DPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC3762630
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	DIP-8
Напряжение Питания (DC)	10.0V (min)
Время Нарастания/Спада	80ns, 45ns
Количество Выходных Интерфейсов	2 Output
Выходное Напряжение	10V ~ 20V
Выходной Ток	400 mA
Количество Каналов	2 Channel
Количество Стежков	8 Position
Рассеяние Мощности	1000 mW
Время Нарастания	150 ns
Время падения	100 ns
Время падения (Макс)	100 ns
Время падения (Макс)	150 ns
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1000 mW
Напряжение питания	10V ~ 15.6V
Напряжение питания (Макс)	20 V
Напряжение питания (мин)	10 V
Длина	10.92 mm
Ширина	7.11 mm
Высота	5.33 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 125℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Not For New Designs
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
	Показывать Просмотр аналоги замена

IR2153DPBF описание продукта

The IR2153DPBF is a self-oscillating Half-bridge Gate Driver IC incorporates a high voltage half-bridge gate driver with a front end oscillator similar to the industry standard CMOS 555 timer. The IC provides more functionality and is easier to use. A shutdown feature has been designed into the CT pin, so that both gate driver outputs can be disabled using a low voltage control signal. In addition the gate driver output pulse widths are the same once the rising under-voltage lockout threshold on VCC has been reached, resulting in a more stable profile of frequency vs. time at start-up. Noise immunity has been improved significantly, both by lowering the peak DI/DT of the gate driver and by increasing the under-voltage lockout hysteresis to 1V.
True micro power start-up
Tighter initial dead-time control
Low temperature coefficient dead time
Shutdown features on CT pin
Lower power level-shifting circuit
Constant LO, HO pulse widths at start-up
Low side output in phase with RT
Excellent latch immunity on all inputs and outputs
Finally special attention has been paid to maximizing the latch immunity of the device and providing comprehensive ESD protection all pins.

Показывать

IR2153DPBF Даташит PDF

9 страницы, 156 КБ

04/14/2009