IR2112SPBF Купить - Infineon Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

Проверка качества компонентов

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Глобальные поставки с
локальной надёжностью

Chipcity принимает
участие в выставке
EXPO ELECTRONICA 2027

13 – 15 АПРЕЛЯ 2027

Москва

IR2112SPBF

Infineon

MOSFET DRVR 600V 0.5A 2Out Hi/Lo Side Non-Inv 16Pin SOIC W

Наличие: 447 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 130.93

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC1022700

Категория продукта:

Драйвер FET

Упаковка: SOIC-16

Дата доставки: 7 дней

Оплата:

Обновлено 26.06.2026, 07:48:07(GMT+3)

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

IR2112SPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IR2112SPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC1022700
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	16 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-16
Напряжение Питания (DC)	10.0V (min)
Рабочее Напряжение	10V ~ 20V
Номинальная Мощность	1.25 W
Время Нарастания/Спада	80ns, 40ns
Количество Выходных Интерфейсов	2 Output
Выходное Напряжение	600 V
Выходной Ток	250 mA
Количество Каналов	2 Channel
Количество Стежков	16 Position
Рассеяние Мощности	1250 mW
Время Нарастания	130ns (Max)
Время падения	65ns (Max)
Время падения (Макс)	65 ns
Время падения (Макс)	130 ns
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1250 mW
Напряжение питания	10V ~ 20V
Напряжение питания (Макс)	20 V
Напряжение питания (мин)	10 V
Длина	10.5 mm
Ширина	7.6 mm
Высота	2.35 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 150℃ (TJ)
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

IR2112SPBF описание продукта

The IR2112SPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Driver with independent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL outputs, down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications. The floating channel can be used to drive a N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.
Floating channel designed for bootstrap operation
Tolerant to negative transient voltage DV/DT Immune
Under-voltage lockout for both channels
CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
Cycle-by-cycle edge-triggered shutdown logic
Matched propagation delay for both channels
Outputs in phase with inputs

Показывать

IR2112SPBF Даташит PDF

18 страницы, 314 КБ

03/24/2005

просматривать

IR2112SPBF Даташит PDF

18 страницы, 313 КБ

03/24/2005

просматривать

IR2112SPBF Даташит PDF

18 страницы, 327 КБ

06/21/2019

просматривать

IR2112SPBF Справочное руководство пользователя

48 страницы, 7466 КБ

11/04/2016

просматривать

IR2112SPBF Справочное руководство пользователя

36 страницы, 3543 КБ

05/02/2017

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2026/06/26 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H3.59508LO89990V80Q0QC0S1