IPW65R041CFD Купить - Infineon Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IPW65R041CFD

Infineon

TO-247 N-CH 700V 68.5A

Наличие: 25,404 шт.

Адрес доставки:

Цена: ₽ 322.97

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC3589740

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IPW65R041CFD характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IPW65R041CFD
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC3589740
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.037 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	500 W
Пороговое Напряжение	4 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	700 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	68.5A
Время Нарастания	28 ns
Входная емкость (Ciss)	8400pF @100V(Vds)
Максимальная входная мощность	500 W
Время падения	8 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	500W (Tc)
Длина	16.13 mm
Ширина	5.21 mm
Высота	21.1 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IPW65R041CFD описание продукта

Summary of Features:
650V technology with integrated fast body diode
Limited voltage overshoot during hard commutation
Significant Q g reduction compared to 600V CFD technology
Tighter R DS(ON) max to R DS(on) typ window
Easy to design-in
Lower price compared to 600V CFD technology
Benefits:
Low switching losses due to low Q rr at repetitive commutation on body diode
Self limiting di/dt and dv/dt
Low Q oss
Reduced turn on and turn of delay times
Outstanding CoolMOS™ quality
Target Applications:
Telecom
Server
Solar
HID lamp ballast
LED lighting
eMobility

Показывать

IPW65R041CFD Даташит PDF

15 страницы, 1130 КБ

10/13/2011