IPB073N15N5ATMA1 Купить - Infineon

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IPB073N15N5ATMA1

Infineon

Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Наличие: 49 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 203.03

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC39145714

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IPB073N15N5ATMA1 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IPB073N15N5ATMA1
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC39145714
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-263-3
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.0056 Ω
Рассеяние Мощности	214 W
Пороговое Напряжение	3 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	150 V
Время Нарастания	4 ns
Входная емкость (Ciss)	3600pF @75V(Vds)
Время падения	4 ns
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	214000 mW
Ширина	9.25 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IPB073N15N5ATMA1 описание продукта

Description:
The new OptiMOS™ 5 150 V power MOSFETs from Infineon are particularly suitable for low voltage drives such as forklift and e-scooter, as well as telecom and solar applications. The new products offer a breakthrough reduction in R DS(on) (up to 25 percent compared to the next best alternative in SuperSO8) and Q rr without compromising FOM gd and FOM OSS, effectively reducing design effort whilst optimizing system efficiency. Furthermore, the ultra-low reverse recovery charge (Q rr = 26 nC in SuperSO8) increases commutation ruggedness.
Summary of Features:
Lower R DS(on) without compromising FOM gd and FOM oss
Lower output charge
Ultra-low reverse recovery charge
Increased commutation ruggedness
Higher switching frequency possible
Benefits:
Reduced paralleling
Size reduction enabled with SuperSO8 best-in-class
Higher power density designs
More rugged products
System cost reduction
Improved EMI behavior

Показывать

IPB073N15N5ATMA1 Даташит PDF

11 страницы, 1029 КБ

03/17/2016