IPB017N10N5LFATMA1 Купить - Infineon

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IPB017N10N5LFATMA1

Infineon

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Наличие: 28,204 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 439.53

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC58459890

3D модель

Оплата:

Обновлено 31.10.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IPB017N10N5LFATMA1 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IPB017N10N5LFATMA1
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC58459890
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	7 Pin
Корпус/Пакет	TO-263-7
Количество Стежков	7 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.0015 Ω
Рассеяние Мощности	313 W
Пороговое Напряжение	3.3 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	100 V
Время Нарастания	28 ns
Входная емкость (Ciss)	650pF @50V(Vds)
Время падения	82 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	313000 mW
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
	Показывать Просмотр аналоги замена

IPB017N10N5LFATMA1 описание продукта

Description:
OptiMOS™ Linear FET is a revolutionary approach to avoid the trade-off between on-state resistance (R DS(on)) and linear mode capability – operation in the saturation region of an enhanced mode MOSFET. It offers the state-of-the-art R DS(on) of a trench MOSFET together with the wide safe operating area of a classic planar MOSFET.�
Summary of Features:
Combination of low R DS(on) and wide safe operating area (SOA)
High max. pulse current
High continuous pulse current�
Benefits:
Rugged linear mode operation
Low conduction losses�
Higher in-rush current enabled for faster start-up and shorter down time

Показывать

IPB017N10N5LFATMA1 Даташит PDF

11 страницы, 1098 КБ

02/16/2017