IKW50N60H3 Купить - Infineon Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IKW50N60H3

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Наличие: 28,365 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 154.32

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC5750533

Категория продукта:

Транзистор IGBT

3D модель

Оплата:

Обновлено 01.11.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IKW50N60H3 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IKW50N60H3
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC5750533
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Номинальная Мощность	333 W
Количество Стежков	3 Position
Рассеяние Мощности	333 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	600 V
Обратное время восстановления	130 ns
Максимальная входная мощность	333 W
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	333 W
Длина	15.87 mm
Ширина	5.31 mm
Высота	21.1 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 175℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IKW50N60H3 описание продукта

Summary of Features:
Designed specifically to replace planar MOSFETs in applications switching at frequencies below 70kHz
Low switching losses for high efficiency
Excellent V ce(sat) behavior thanks to the famous Infineon TRENCHSTOP™ technology
Fast switching behavior with low EMI emissions
Optimized diode for target applications, meaning further improvement in switching losses
Low gate resistor selection possible (down to 5Ω) whilst maintaining excellent switching behaviour
Short circuit capability
Offering T j(max) of 175°C
Packaged with and without freewheeling diode for increased design freedom
Benefits:
Excellent cost/performance
Low switching and conduction losses
Very good EMI behavior
A small gate resistor for reduced delay time and voltage overshoot
Smaller die sizes -> smaller packages
Best-in-class IGBT efficiency and EMI behavior

Показывать

IKW50N60H3 Даташит PDF

16 страницы, 2180 КБ

03/12/2014