IKW75N60TFKSA1 Купить - Infineon Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

Проверка качества компонентов

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Глобальные поставки с
локальной надёжностью

Chipcity принимает
участие в выставке
EXPO ELECTRONICA 2027

13 – 15 АПРЕЛЯ 2027

Москва

IKW75N60TFKSA1

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Наличие: 104 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 241.35

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC20113430

Категория продукта:

Транзистор IGBT

Упаковка: TO-247-3

Дата доставки: 7 дней

Оплата:

Обновлено 30.07.2026, 07:48:07(GMT+3)

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

IKW75N60TFKSA1 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IKW75N60TFKSA1
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC20113430
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Количество Стежков	3 Position
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	428 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	600 V
Обратное время восстановления	121 ns
Максимальная входная мощность	428 W
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	428000 mW
Длина	16.03 mm
Ширина	21.1 mm
Высота	5.16 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 175℃ (TJ)
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

IKW75N60TFKSA1 описание продукта

The IKW75N60T is a 600V Discrete IGBT with very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode. TRENCHSTOP™ IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses. Discrete IGBT is ideal for hard switching applications as well as soft switching applications and other resonant applications.
Lowest Vce (sat) drop for lower conduction losses
Low switching losses
Easy to parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vce (sat)
High ruggedness, temperature stable behaviour
Low EMI emissions
Low gate charge
Very tight parameter distribution
Highest efficiency
Low conduction and switching losses

Показывать

IKW75N60TFKSA1 Даташит PDF

13 страницы, 854 КБ

03/19/2014

просматривать

IKW75N60TFKSA1 Даташит PDF

4 страницы, 46 КБ

06/03/2014

просматривать

IKW75N60TFKSA1 Даташит PDF

13 страницы, 914 КБ

11/20/2006

просматривать

IKW75N60TFKSA1 Справочное руководство пользователя

270 страницы, 11877 КБ

11/08/2017

просматривать

IKW75N60TFKSA1 Справочное руководство пользователя

264 страницы, 22893 КБ

01/30/2017

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2026/07/30 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H2.59152LO97618V37Q1QC0S3