HGTG18N120BND Купить - Fairchild Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

Проверка качества компонентов

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Глобальные поставки с
локальной надёжностью

Chipcity принимает
участие в выставке
EXPO ELECTRONICA 2027

13 – 15 АПРЕЛЯ 2027

Москва

HGTG18N120BND

Fairchild

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Наличие: 1,969 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки:

Цена: ₽ 434.58

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC11362400

Категория продукта:

Транзистор IGBT

Упаковка: TO-247-3

Дата доставки: 7 дней

Оплата:

Обновлено 26.06.2026, 07:48:07(GMT+3)

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

HGTG18N120BND характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	HGTG18N120BND
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC11362400
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Номинальное Напряжение (DC)	1.20 kV
Номинальный Ток	54.0 A
Количество Стежков	3 Position
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	390 W
Время Нарастания	22.0 ns
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	1200 V
Обратное время восстановления	75 ns
Максимальная входная мощность	390 W
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	390 W
Длина	15.87 mm
Ширина	4.82 mm
Высота	20.82 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

657-25ABPE

Wakefield Engineering

HGTG18N120BND описание продукта

The HGTG18N120BND is a 1200V N-channel IGBT with anti-parallel hyper fast diode. It is in a non-punch through (NPT) IGBT design. This NPT series is a new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBT combines the best features of MOSFET and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. Offers lower conduction loss and lower switching loss for designing high efficiency and reliable systems. Fairchild offers an extensive portfolio of IGBT devices by various process technologies from 300V to greater than 1200V. Optimized manufacturing process results in better control and repeatability of the top-side structure, resulting in tighter specifications and better EMI performance. This product is general usage and suitable for many different applications.
140ns at TJ = 150°C Fall time
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.

Показывать

HGTG18N120BND Даташит PDF

9 страницы, 265 КБ

11/07/2013

просматривать

HGTG18N120BND Даташит PDF

11 страницы, 368 КБ

просматривать

HGTG18N120BND Даташит PDF

12 страницы, 384 КБ

07/26/2017

просматривать

HGTG18N120BND Даташит PDF

4 страницы, 103 КБ

03/28/2012

просматривать

HGTG18N120BND Даташит PDF

12 страницы, 367 КБ

06/30/2017

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2026/06/26 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H3.26807LO44518V150Q0QC0S1