FQD2N60CTF Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FQD2N60CTF

Fairchild

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD2N60CTF Power MOSFET, N Channel, 1.9A, 600V, 4.7Ω, 10V, 4V

Наличие: 1,284 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 22.78

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC86534584

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

FQD2N60CTF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FQD2N60CTF
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC86534584
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-252-3
Номинальное Напряжение (DC)	600 V
Номинальный Ток	1.90 A
Количество Каналов	1 Channel
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	4.7 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	2.5 W
Пороговое Напряжение	4 V
Входная Ёмкость	235 pF
Заряд Затвора	12.0 nC
Напряжение Сток-исток (Vds)	600 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	600 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±30.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	1.90 mA
Время Нарастания	25 ns
Входная емкость (Ciss)	235pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	2.5 W
Время падения	28 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	2.5W (Ta), 44W (Tc)
Длина	6.73 mm
Ширина	6.22 mm
Высота	2.39 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

FQD2N60CTF описание продукта

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.
Product Highlights
1.9A, 600V, R
DS(on)
= 4.7
W
@V
GS
= 10 V
Low gate charge (typical 8.5 nC)
Low Crss (typical 4.3 pF)
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability

Показывать

FQD2N60CTF Даташит PDF

9 страницы, 1058 КБ