FDS6680AS Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FDS6680AS

Fairchild

Trans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8Pin SOIC N T/R

Наличие: 11,449 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 47.03

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC14808404

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

FDS6680AS характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FDS6680AS
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC14808404
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Номинальное Напряжение (DC)	-30.0 V
Номинальный Ток	-11.5 A
Количество Стежков	8 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.01 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	2.5 mW
Пороговое Напряжение	1.5 V
Входная Ёмкость	1.24 nF
Заряд Затвора	22.0 nC
Напряжение Сток-исток (Vds)	30 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	30.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	11.5 A
Время Нарастания	5.00 ns
Входная емкость (Ciss)	1240pF @15V(Vds)
Максимальная входная мощность	1 W
Время падения	11 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	2.5 W
Длина	5 mm
Ширина	4 mm
Высота	1.5 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

FDS6680AS описание продукта

The FDS6680AS is a 30V N-channel PowerTrench® SyncFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild"s the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. The high-side switch (Q1) is designed with specific emphasis on reducing switching losses while the low side switch (Q2) is optimized to reduce conduction losses. Q2 also includes an integrated Schottky diode using Fairchild"s monolithic SyncFET technology. This product is general usage and suitable for many different applications.
Includes SyncFET Schottky body diode
High performance trench technology for extremely low RDS (on)
High power and current handling capability

Показывать

FDS6680AS Даташит PDF

8 страницы, 983 КБ

03/23/2005