NSV1C301ET4G Купить - ON Semiconductor Двухполюсный плоскостной транзистор

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

NSV1C301ET4G

ON Semiconductor

DPAK NPN 100V 3A

Наличие: 10,645 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 72.72

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ON Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC58888850

Категория продукта:

Двухполюсный плоскостной транзистор

3D модель

Оплата:

Обновлено 01.11.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

NSV1C301ET4G характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	NSV1C301ET4G
Производитель	ON Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC58888850
Категория продукта	Двухполюсный плоскостной транзистор
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	DPAK-3
Частота	120 MHz
Безгалогеновый Статус	Halogen Free
Полярность	NPN
Рассеяние Мощности	2.1 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	100 V
Непрерывный ток коллектора	3A
hFE Min	120
hFE Max	360
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-65 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1400 mW
Рабочая Температура	-65℃ ~ 150℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
	Показывать Просмотр аналоги замена

NSV1C301ET4G описание продукта

Implement this versatile NPN NSV1C301ET4G GP BJT from ON Semiconductor into an electronic circuit to be used as a current or voltage-controlled switch or amplifier. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 1400 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 100 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.

Показывать

NSV1C301ET4G Даташит PDF

6 страницы, 74 КБ

просматривать

NSV1C301ET4G Даташит PDF

6 страницы, 152 КБ

08/11/2021

просматривать

NSV1C301ET4G Другие Даташит

53 страницы, 458 КБ

07/17/1997

просматривать

NSV1C301ET4G Другие Даташит

7 страницы, 78 КБ

08/14/2016

просматривать

NSV1C301ET4G Другие Даташит

6 страницы, 161 КБ

03/28/2016

просматривать

NSV1C301ET4G Другие Даташит

5 страницы, 72 КБ

03/28/2016

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/11/01 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H0.9124LO62637V29Q0QC0S0