FDN8601 Купить - ON Semiconductor Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

Проверка качества компонентов

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Глобальные поставки с
локальной надёжностью

Chipcity принимает
участие в выставке
EXPO ELECTRONICA 2027

13 – 15 АПРЕЛЯ 2027

Москва

FDN8601

ON Semiconductor

MOSFET Transistor, N Channel, 2.7A, 100V, 0.0854Ω, 10V, 3V

Наличие: 4,423 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 88.74

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

ON Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC7458242

Категория продукта:

Труба MOS

Упаковка: SOT-23-3

Дата доставки: 7 дней

Оплата:

Обновлено 15.06.2026, 07:48:07(GMT+3)

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

FDN8601 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FDN8601
Производитель	ON Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC7458242
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	SOT-23-3
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.0854 Ω
Рассеяние Мощности	1.5 W
Пороговое Напряжение	3 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	100 V
Время Нарастания	1.3 ns
Входная емкость (Ciss)	156pF @50V(Vds)
Максимальная входная мощность	600 mW
Время падения	3.4 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1.5 W
Длина	1.4 mm
Ширина	2.92 mm
Высота	0.94 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
	Показывать Просмотр аналоги замена

FDN8601 описание продукта

The FDN8601 is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor"s advanced PowerTrench® process. It is suitable for primary DC-to-DC switch and load switch applications.
High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
Fast switching speed
100% UIL tested

Показывать

FDN8601 Даташит PDF

6 страницы, 159 КБ

07/13/2010

просматривать

FDN8601 Другие Даташит

8 страницы, 258 КБ

просматривать

FDN8601 Другие Даташит

6 страницы, 159 КБ

07/13/2010

просматривать

FDN8601 Файл уведомления

7 страницы, 1829 КБ

11/21/2019

просматривать

FDN8601 Файл уведомления

4 страницы, 183 КБ

03/01/2013

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2026/06/15 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H1.74843LO30480V28Q0QC0S1