FDN360P Купить - Fairchild Semiconductor Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

Проверка качества компонентов

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Глобальные поставки с
локальной надёжностью

Chipcity принимает
участие в выставке
EXPO ELECTRONICA 2027

13 – 15 АПРЕЛЯ 2027

Москва

FDN360P

Fairchild Semiconductor

FSC Fdn360p – транзистор MOSFET с P-каналом, напряжением 30 В и питательной способностью 2 А, использует клемищу 3P. Фасон корпуса – superSOT-23. Технология PowerTrench позволяет минимизировать сопротивление в состоянии нагрузки и поддерживать низкий заряд затвора для лучших характеристик переключения. Этот диод отлично подходит для применений с низким напряжением и от батарей. * Технология траншейного типа обеспечивает чрезвычайно низкое сопротивление в состоянии нагрузки Rds(ON). * Низкий заряд затвора – около 6,2 нК. * Напряжение между выходом и источником питания (Vds) составляет -30 В. * Напряжение между затвором и источником питания ±20 В. * Постоянный ток через выход – -2 А при 25°C. * Потребляемая мощность (Pd) – 500 мВт. * Низкое сопротивление в состоянии нагрузки – 100 мОм при Vgs -4,5 В. * Диапазон рабочих температур – от -55°C до 150°C.

Наличие: 1,233 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 27.17

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

Fairchild Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC6743763

Категория продукта:

Труба MOS

Упаковка: SOT-23-3

Дата доставки: 7 дней

Оплата:

Обновлено 29.10.2026, 07:48:07(GMT+3)

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

FDN360P характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FDN360P
Производитель	Fairchild Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC6743763
Жизненный Цикл Продукта	В производстве
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	SOT-23-3
Номинальное Напряжение (DC)	-30.0 V
Номинальный Ток	-2.00 A
Номинальная Мощность	500 mW
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.08 Ω
Полярность	P-Channel
Рассеяние Мощности	500 mW
Пороговое Напряжение	20 V
Входная Ёмкость	298 pF
Заряд Затвора	6.20 nC
Напряжение Сток-исток (Vds)	30 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	-30.0 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±20.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	2.00 A
Время Нарастания	13 ns
Входная емкость (Ciss)	298pF @15V(Vds)
Максимальная входная мощность	460 mW
Время падения	13 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	0.5 W
Длина	2.92 mm
Ширина	1.4 mm
Высота	0.94 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

FDN360P описание продукта

FDN360P от Fairchild – это транзистор MOSFET с P-каналом, использующий технологию PowerTrench. Корпус имеет фасон superSOT-23. Технология PowerTrench позволяет минимизировать сопротивление в состоянии нагрузки и поддерживать низкий заряд затвора для лучших характеристик переключения. Этот диод отлично подходит для применений с низким напряжением и от батарей.
Высокопроизводительная технология траншейного типа обеспечивает чрезвычайно низкое сопротивление в состоянии нагрузки Rds(ON).
Низкий заряд затвора – около 6,2 нК.
Напряжение между выходом и источником питания (Vds) составляет -30 В.
Напряжение между затвором и источником питания ±20 В.
Постоянный ток через выход – -2 А при 25°C.
Потребляемая мощность (Pd) – 500 мВт.
Низкое сопротивление в состоянии нагрузки – 100 мОм при Vgs -4,5 В.
Диапазон рабочих температур – от -55°C до 150°C.

Показывать

FDN360P Даташит PDF

5 страницы, 123 КБ

05/15/2003

7 страницы, 222 КБ

5 страницы, 120 КБ

10 страницы, 195 КБ

04/28/2014

просматривать

FDN360P Даташит PDF

7 страницы, 222 КБ

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2026/10/29 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H4.55791LO14781V107Q0QC0S1