FDN358P Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FDN358P

Fairchild

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN358P MOSFET Transistor, P Channel, 1.6A, 30V, 200mohm, -10V, -1.9V

Наличие: 6,381 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 78.39

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC4585193

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

FDN358P характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FDN358P
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC4585193
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	SOT-23-3
Номинальное Напряжение (DC)	-30.0 V
Номинальный Ток	-1.50 A
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	200 mΩ
Полярность	P-Channel
Рассеяние Мощности	560 mW
Входная Ёмкость	182 pF
Заряд Затвора	4.00 nC
Напряжение Сток-исток (Vds)	30 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	30 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±20.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	1.50 A
Время Нарастания	13 ns
Входная емкость (Ciss)	182pF @15V(Vds)
Максимальная входная мощность	460 mW
Время падения	2 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	500mW (Ta)
Длина	2.92 mm
Ширина	1.4 mm
Высота	0.94 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃
Жизненный Цикл Продукта	Unknown
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
Лицензия HK STC	NLR
	Показывать Просмотр аналоги замена

FDN358P описание продукта

The FDN358P is a P-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It comes with high power version of industry standard SOT-23 package. Identical pin-out to SOT-23 with 30% higher power handling capability. It is well suited for load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion application.
High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
4nC Typical low gate charge

Показывать

FDN358P Даташит PDF

5 страницы, 114 КБ

01/30/2003