BSC093N15NS5ATMA1 Купить - Infineon Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

BSC093N15NS5ATMA1

Infineon

TDSON N-CH 150V 87A

Наличие: 40,526 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 250.06

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC19629437

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

BSC093N15NS5ATMA1 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	BSC093N15NS5ATMA1
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC19629437
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	PG-TDSON-8
Количество Стежков	8 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.0079 Ω
Полярность	N-CH
Рассеяние Мощности	139 W
Пороговое Напряжение	3.8 V
Входная Ёмкость	3230 pF
Напряжение Сток-исток (Vds)	150 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	87A
Время Нарастания	4.3 ns
Входная емкость (Ciss)	3230pF @75V(Vds)
Время падения	3.8 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	139W (Tc)
Длина	5.9 mm
Ширина	5.15 mm
Высота	1.27 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
	Показывать Просмотр аналоги замена

BSC093N15NS5ATMA1 описание продукта

Description:
The new OptiMOS™ 5 150 V power MOSFETs from Infineon are particularly suitable for low voltage drives such as forklift and e-scooter, as well as telecom and solar applications. The new products offer a breakthrough reduction in R DS(on) (up to 25 percent compared to the next best alternative in SuperSO8) and Q rr without compromising FOM gd and FOM OSS, effectively reducing design effort whilst optimizing system efficiency. Furthermore, the ultra-low reverse recovery charge (Q rr = 26 nC in SuperSO8) increases commutation ruggedness.
Summary of Features:
Lower R DS(on) without compromising FOM gd and FOM oss
Lower output charge
Ultra-low reverse recovery charge
Increased commutation ruggedness
Higher switching frequency possible
Benefits:
Reduced paralleling
Size reduction enabled with SuperSO8 best-in-class
Higher power density designs
More rugged products
System cost reduction
Improved EMI behavior

Показывать

BSC093N15NS5ATMA1 Даташит PDF

10 страницы, 1053 КБ

06/10/2016