| Атрибут | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Номенклатура | APT100GN60LDQ4G | |
| Производитель | Microsemi | |
| ЧипСити Номер продукта | CC125148582 | |
| Категория продукта | Транзистор IGBT | |
| Даташит | Datasheet | |
| 3D модель | 3D модель | |
| Стиль Монтажа | Through Hole | |
| Количество Выводов | 3 Pin | |
| Корпус/Пакет | TO-264-3 | |
| Номинальное Напряжение (DC) | 600 V | |
| Номинальный Ток | 100 A | |
| Рассеяние Мощности | 625 W | |
| Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер) | 600 V | |
| Максимальная входная мощность | 625 W | |
| Рабочая температура (Макс) | 175 ℃ | |
| Рабочая температура (мин) | -55 ℃ | |
| Рассеиваемая Мощность (Макс) | 625000 mW | |
| Длина | 26.49 mm | |
| Ширина | 20.5 mm | |
| Высота | 5.21 mm | |
| Рабочая Температура | -55℃ ~ 175℃ (TJ) | |
| Жизненный Цикл Продукта | Active | |
| Упаковка | Tube | |
| RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
| Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
|
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
Поиск деталей онлайн