ADR421ARZ Купить - ADI Опорный чип напряжения

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

ADR421ARZ

ADI

Voltage Reference Precision 2.5V 10mA 8Pin SOIC N

Наличие: 954 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 387.20

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ADI

ЧипСити Номер продукта:

CC61690

Категория продукта:

Опорный чип напряжения

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

ADR421ARZ характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	ADR421ARZ
Производитель	ADI
ЧипСити Номер продукта	CC61690
Категория продукта	Опорный чип напряжения
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Номинальный Ток	10.0 mA
Допустимое Отклонение Ёмкости	±0.12 %
Входное Напряжение (DC)	4.50V ~ 18.0V
Выходное Напряжение	2.5 V
Выходной Ток	10 mA
Ток Питания	600 μA
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	8 Position
Максимальное входное напряжение	18 V
Входное напряжение (мин)	4.5 V
Выходное напряжение (Макс)	2.503 V
Выходное напряжение (мин)	2.5 V
Выходной ток (Макс)	10 mA
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Температура соединения (Макс)	125 ℃
Входное напряжение	4.5V ~ 18V
Длина	5 mm
Ширина	4 mm
Высота	1.5 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 125℃ (TA)
Коэффициент Температуры	±10 ppm/℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2014/06/16
ECCN кодекс	EAR99
Лицензия HK STC	NLR
	Показывать Просмотр аналоги замена

ADR421ARZ описание продукта

The ADR421ARZ is an ultra-precision, second generation eXtra implanted junction FET (XFET) Voltage Reference featuring low noise, high accuracy and excellent long-term stability in SOIC and MSOP footprints. Patented temperature drift curvature correction technique and XFET technology minimize nonlinearity of the voltage change with temperature. The XFET architecture offers superior accuracy and thermal hysteresis to the band gap references. It also operates at lower power and lower supply headroom than the buried Zener references. The trim terminal can also be used to adjust the output voltage over a ±0.5% range without compromising any other performance.
Low noise (0.1 to 10Hz)
3ppm/°C Low temperature coefficient
50ppm/1000 hours Long-term stability
70ppm/mA Load regulation
35ppm/V Line regulation
40ppm Typical low hysteresis
0.5mA Maximum quiescent current
10mA High output current
Product features patented or proprietary protection circuitry, damage may occur on devices subjected to high energy ESD.

Показывать

ADR421ARZ Даташит PDF

25 страницы, 492 КБ