| Атрибут | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Номенклатура | 2SD1963T100R | |
| Производитель | ROHM Semiconductor | |
| ЧипСити Номер продукта | CC128471375 | |
| Жизненный Цикл Продукта | В производстве | |
| Категория продукта | Двухполюсный плоскостной транзистор | |
| Даташит | Datasheet | |
| 3D модель | 3D модель | |
| Стиль Монтажа | Surface Mount | |
| Корпус/Пакет | MPT-3 | |
| Номинальное Напряжение (DC) | 20.0 V | |
| Номинальный Ток | 3.00 A | |
| Полярность | NPN | |
| Рассеяние Мощности | 2000 mW | |
| Произведение Коэффициента Усиления на Ширину Полосы Пропускания | 150 MHz | |
| Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер) | 20 V | |
| Непрерывный ток коллектора | 3A | |
| hFE Min | 180 @500mA, 2V | |
| hFE Max | 180 @500mA, 2V | |
| Максимальная входная мощность | 2 W | |
| Рабочая температура (Макс) | 150 ℃ | |
| Рассеиваемая Мощность (Макс) | 2 W | |
| Длина | 4.5 mm | |
| Ширина | 2.5 mm | |
| Высота | 1.5 mm | |
| Рабочая Температура | 150℃ (TJ) | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
| Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
|
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||