BOM Цитировать
| Атрибут | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Номенклатура | 2N3055AG | |
| Производитель | ON Semiconductor | |
| ЧипСити Номер продукта | CC1979585 | |
| Категория продукта | Двухполюсный плоскостной транзистор | |
| Даташит | Datasheet | |
| 3D модель | 3D модель | |
| Стиль Монтажа | Through Hole | |
| Количество Выводов | 2 Pin | |
| Корпус/Пакет | TO-204-2 | |
| Частота | 6 MHz | |
| Номинальное Напряжение (DC) | 60.0 V | |
| Номинальный Ток | 15.0 A | |
| Количество Стежков | 2 Position | |
| Полярность | NPN | |
| Рассеяние Мощности | 115 W | |
| Произведение Коэффициента Усиления на Ширину Полосы Пропускания | 6 MHz | |
| Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер) | 60 V | |
| Тепловое Сопротивление | 1.52℃/W (RθJC) | |
| Непрерывный ток коллектора | 15A | |
| hFE Min | 10 @4A, 2V | |
| hFE Max | 70 | |
| Максимальная входная мощность | 115 W | |
| Усиление постоянного тока (hFE) | 70 | |
| Рабочая температура (Макс) | 200 ℃ | |
| Рабочая температура (мин) | -65 ℃ | |
| Рассеиваемая Мощность (Макс) | 115000 mW | |
| Длина | 39.37 mm | |
| Ширина | 26.67 mm | |
| Высота | 8.51 mm | |
| Материал | Silicon | |
| Рабочая Температура | -65℃ ~ 200℃ | |
| Жизненный Цикл Продукта | Active | |
| Упаковка | Tray | |
| RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
| Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
| ECCN кодекс | EAR99 | |
|
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
Поиск деталей онлайн
