ZXTP2008GTA Купить - Diodes Двухполюсный плоскостной транзистор

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

Проверка качества компонентов

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Глобальные поставки с
локальной надёжностью

Chipcity принимает
участие в выставке
EXPO ELECTRONICA 2027

13 – 15 АПРЕЛЯ 2027

Москва

ZXTP2008GTA

Diodes

Trans GP BJT PNP 30V 5.5A 3000mW Automotive 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Наличие: 4,253 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 27.75

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

Diodes

ЧипСити Номер продукта:

CC17128789

Категория продукта:

Двухполюсный плоскостной транзистор

Упаковка: TO-261-4

Дата доставки: 7 дней

Оплата:

Обновлено 26.06.2026, 07:48:07(GMT+3)

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

ZXTP2008GTA характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	ZXTP2008GTA
Производитель	Diodes
ЧипСити Номер продукта	CC17128789
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Двухполюсный плоскостной транзистор
Даташит
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	4 Pin
Корпус/Пакет	TO-261-4
Частота	110 MHz
Номинальное Напряжение (DC)	-30.0 V
Номинальный Ток	-5.50 A
Полярность	PNP
Рассеяние Мощности	3 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	30 V
Непрерывный ток коллектора	5.5A
hFE Min	100 @1A, 1V
Максимальная входная мощность	3 W
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	3000 mW
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

ZXTP2008GTA описание продукта

Look no further than Diodes Zetex"s PNP ZXTP2008GTA general purpose bipolar junction transistor, which can easily operate in high voltage ranges. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 3000 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 30 V and a maximum emitter base voltage of 7 V.

Показывать

ZXTP2008GTA Даташит PDF

6 страницы, 116 КБ

просматривать

ZXTP2008GTA Даташит PDF

6 страницы, 121 КБ

12/01/2006

просматривать

ZXTP2008GTA Даташит PDF

6 страницы, 114 КБ

12/01/2006

просматривать

ZXTP2008GTA Даташит PDF

6 страницы, 109 КБ

12/01/2006

просматривать

ZXTP2008GTA Другие Даташит

293 страницы, 936 КБ

06/01/2021

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2026/06/26 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H1.77967LO0V3Q0QC0S1