TS5A22362DGSR Купить - TI Чип аналогового переключателя

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

TS5A22362DGSR

TEXAS INSTRUMENTS TS5A22362DGSR Analog Switch, Dual Channel, SPDT, 2Channels, 0.94Ω, 2.3V to 5.5V, MSOP, 10Pins

Наличие: 32 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 43.90

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ЧипСити Номер продукта:

CC4501337

Категория продукта:

Чип аналогового переключателя

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

TS5A22362DGSR характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	TS5A22362DGSR
Производитель	TI
ЧипСити Номер продукта	CC4501337
Категория продукта	Чип аналогового переключателя
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	10 Pin
Корпус/Пакет	VSSOP-10
Количество Выходных Интерфейсов	4 Output
Ток Питания	200 nA
Количество Цепей	2 Circuit
Количество Каналов	2 Channel
Количество Стежков	10 Position
Ширина Ленты	17.0 MHz
Количество входов	2 Input
Рабочая температура (Макс)	85 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Полоса пропускания 3 дБ	18.3 MHz
Напряжение питания	2.3V ~ 5.5V
Длина	3.1 mm
Ширина	3.1 mm
Высота	0.95 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 85℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

TS5A22362DGSR описание продукта

The TS5A22362DGSR is a single-pole double-throw (SPDT) dual bidirectional Analog Switch designed to operate from 2.3 to 5.5V. The device features negative signal swing capability that allows signals below ground to pass through the switch without distortion. The break-before-make feature prevents signal distortion during the transferring of a signal from one path to another. It features low on-state resistance, excellent channel-to-channel on-state resistance matching and minimal total harmonic distortion (THD) performance.
Low on-state resistance
Low charge injection
Excellent ON-State Resistance Matching
Latch-up performance exceeds 100mA Per JESD 78, Class II
ESD performance tested per JESD 22
Green product and no Sb/Br
Device has limited built-in ESD protection, leads should be shorted together or the device placed in conductive foam during storage or handling to prevent electrostatic damage to the MOS gates.

Показывать

TS5A22362DGSR Даташит PDF

30 страницы, 1251 КБ

12/02/2015