TPS28226DRBT Купить - TI Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

TPS28226DRBT

8Pin High Frequency 4A Sink Synchronous MOSFET Driver 8-SON -40℃ to 125℃

Наличие: 248 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки:

Цена: ₽ 67.45

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

ЧипСити Номер продукта:

CC89521133

Категория продукта:

Драйвер FET

Дата доставки: 7 дней

3D модель

Оплата:

Обновлено 01.05.2026, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

TPS28226DRBT характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	TPS28226DRBT
Производитель	TI
ЧипСити Номер продукта	CC89521133
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	VDFN-8
Частота	2 MHz
Время Нарастания/Спада	10 ns
Количество Выходных Интерфейсов	2 Output
Рассеяние Мощности	2.58 W
Время Нарастания	10 ns
Время падения	10 ns
Время падения (Макс)	10 ns
Время падения (Макс)	10 ns
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	2580 mW
Напряжение питания	6.8V ~ 8.8V
Рабочая Температура	-40℃ ~ 125℃
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

TPS28226DRBT описание продукта

The is a high-speed driver for N-channel complimentary driven power MOSFETs with adaptive dead-time control. This driver is optimized for use in variety of high-current one and multi-phase DC-to-DC converters. The is a solution that provides high efficiency, small size and low EMI emissions.
The efficiency is achieved by up to 8.8-V gate drive voltage, 14-ns adaptive dead-time control, 14-ns propagation delays and high-current 2-A source and 4-A sink drive capability. The 0.4-Ω impedance for the lower gate driver holds the gate of power MOSFET below its threshold and ensures no shoot-through current at high dV/dt phase node transitions. The bootstrap capacitor charged by an internal diode allows use of N-channel MOSFETs in a half-bridge configuration.

Показывать

TPS28226DRBT Даташит PDF

39 страницы, 1652 КБ

09/12/2016

просматривать

TPS28226DRBT Даташит PDF

35 страницы, 1172 КБ

03/20/2008

просматривать

TPS28226DRBT Даташит PDF

38 страницы, 1681 КБ

10/06/2015

просматривать

TPS28226DRBT Даташит PDF

38 страницы, 1167 КБ

06/26/2012

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2026/05/01 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H1.2221LO0V1Q0QC0S0