TIP121G Купить - ON Semiconductor Двухполюсный плоскостной транзистор

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

TIP121G

ON Semiconductor

TO-220AB NPN 80V 5A

Наличие: 2,807 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 80.80

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ON Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC5420150

Категория продукта:

Двухполюсный плоскостной транзистор

3D модель

Оплата:

Обновлено 31.10.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

TIP121G характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	TIP121G
Производитель	ON Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC5420150
Категория продукта	Двухполюсный плоскостной транзистор
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-3
Номинальное Напряжение (DC)	80.0 V
Номинальный Ток	5.00 A
Выходное Напряжение	80 V
Выходной Ток	5 A
Количество Стежков	3 Position
Входной Ток	120 mA
Полярность	NPN
Рассеяние Мощности	65 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	80 V
Тепловое Сопротивление	62.5℃/W (RθJA)
Непрерывный ток коллектора	5A
hFE Min	1000 @3A, 3V
Максимальная входная мощность	2 W
Усиление постоянного тока (hFE)	1000
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-65 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	2000 mW
Входное напряжение	2.5 V
Длина	10.28 mm
Ширина	4.83 mm
Рабочая Температура	-65℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

TIP121G описание продукта

Amplify your current with the NPN TIP121G Darlington transistor, developed by ON Semiconductor. This Darlington transistor array"s maximum emitter base voltage is 5 V. This product"s maximum continuous DC collector current is 5 A, while its minimum DC current gain is 1000@0.5A@3 V|1000@3A@3V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 2@12mA@3A|4@20mA@5A V. Its maximum power dissipation is 2000 mW. This product comes in rail packaging to keep individual parts separated and protected. This Darlington transistor array has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 80 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

Показывать

TIP121G Даташит PDF

7 страницы, 139 КБ

11/07/2014