STW55NM60ND Купить - ST Microelectronics Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

STW55NM60ND

ST Microelectronics

N-channel 600V, 0.047Ω, 51A TO-247 FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode)

Наличие: 108 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 1,053.56

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ST Microelectronics

ЧипСити Номер продукта:

CC8858723

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

STW55NM60ND характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	STW55NM60ND
Производитель	ST Microelectronics
ЧипСити Номер продукта	CC8858723
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.047 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	350 W
Пороговое Напряжение	4 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	600 V
Время Нарастания	68 ns
Входная емкость (Ciss)	5800pF @50V(Vds)
Максимальная входная мощность	350 W
Время падения	96 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	350W (Tc)
Длина	15.75 mm
Ширина	5.15 mm
Высота	20.15 mm
Рабочая Температура	150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

STW55NM60ND описание продукта

The STW55NM60ND is a FDmesh™ N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This FDmesh™ II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode is produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low ON-resistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
The worldwide best RDS (ON) amongst the fast recovery diode device
100% Avalanche tested
Low gate input resistance
High dV/dt and avalanche capabilities

Показывать

STW55NM60ND Даташит PDF

12 страницы, 293 КБ

10/20/2005

просматривать

STW55NM60ND Даташит PDF

12 страницы, 296 КБ

10/20/2005

просматривать

STW55NM60ND Даташит PDF

2 страницы, 78 КБ

09/14/2007

просматривать

STW55NM60ND Даташит PDF

12 страницы, 294 КБ

03/28/2012

просматривать

STW55NM60ND Упаковка

12 страницы, 230 КБ

10/21/2011

просматривать

STW55NM60ND Упаковка

12 страницы, 230 КБ

10/21/2011

просматривать

STW55NM60ND Файл уведомления

32 страницы, 527 КБ

05/09/2014

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/06/17 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H3.96541LO38972V122Q0QC0S1