STW26NM50 Купить - ST Microelectronics Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

STW26NM50

ST Microelectronics

TO-247 N-CH 500V 30A

Наличие: 1,732 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 605.17

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ST Microelectronics

ЧипСити Номер продукта:

CC9794303

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

STW26NM50 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	STW26NM50
Производитель	ST Microelectronics
ЧипСити Номер продукта	CC9794303
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Номинальное Напряжение (DC)	500 V
Номинальный Ток	30.0 A
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.12 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	313 W
Пороговое Напряжение	4 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	500 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	30.0 A
Время Нарастания	15 ns
Входная емкость (Ciss)	3000pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	313 W
Время падения	19 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	313W (Tc)
Рабочая Температура	150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2014/06/16
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

STW26NM50 описание продукта

The STW26NM50 is a 500V N-channel Power MOSFET developed using revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the PowerMESH™ horizontal layout. This MOSFET offers extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today"s challenging efficiency requirements.
High dv/dt and avalanche capabilities
Improved ESD capability
Low input capacitance and gate charge
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.

Показывать

STW26NM50 Даташит PDF

12 страницы, 560 КБ

10/20/2005

просматривать

STW26NM50 Даташит PDF

12 страницы, 564 КБ

03/28/2012

просматривать

STW26NM50 Даташит PDF

10 страницы, 189 КБ

11/15/2006

просматривать

STW26NM50 Даташит PDF

8 страницы, 352 КБ

просматривать

STW26NM50 Другие Даташит

17 страницы, 191 КБ

04/22/2019

просматривать

STW26NM50 Другие Даташит

1 страницы, 386 КБ

05/08/2006

просматривать

STW26NM50 Файл уведомления

30 страницы, 325 КБ

04/08/2019

просматривать

STW26NM50 Другие ссылки

1 страницы, 133 КБ

06/15/2011

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/06/17 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H2.08202LO65855V29Q0QC0S1