STPSC806D Купить - ST Microelectronics Диоды Шоттки

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

STPSC806D

ST Microelectronics

STMICROELECTRONICS STPSC806D Silicon Carbide Schottky Diode, SIC, 600V Series, Single, 600V, 8A, 10NC, TO-220AC

Наличие: 1,140 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 539.71

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ST Microelectronics

ЧипСити Номер продукта:

CC4163035

Категория продукта:

Диоды Шоттки

3D модель

Оплата:

Обновлено 31.10.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

STPSC806D характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	STPSC806D
Производитель	ST Microelectronics
ЧипСити Номер продукта	CC4163035
Категория продукта	Диоды Шоттки
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	2 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-2
Напряжение в Прямом Направлении	1.7V @8A
Тепловое Сопротивление	2.4℃/W (RθJC)
Обратное время восстановления	0 ns
Прямой ток	8 A
Максимальный ток перенапряжения (Ifsm)	120 A
Максимальное прямое напряжение (Макс)	2.1 V
Прямой ток (макс)	8 A
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Температура соединения (Макс)	175 ℃
Длина	10.4 mm
Ширина	4.6 mm
Высота	15.75 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 175℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

STPSC806D описание продукта

The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 600 V rating. Due to the Schottky construction no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
ST SiC diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.
**Key Features**
No or negligible reverse recovery
Switching behavior independent of temperature
Particularly suitable in PFC boost diode function

Показывать

STPSC806D Даташит PDF

8 страницы, 109 КБ

10/20/2005