STPSC2006CW Купить - ST Microelectronics Массив диода

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

STPSC2006CW

ST Microelectronics

STMICROELECTRONICS STPSC2006CW Silicon Carbide Schottky Diode, SIC, 600V Series, Dual Common Cathode, 600V, 20A, 12NC, TO-247

Наличие: 4,490 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 660.83

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ST Microelectronics

ЧипСити Номер продукта:

CC12599853

Категория продукта:

Массив диода

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

STPSC2006CW характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	STPSC2006CW
Производитель	ST Microelectronics
ЧипСити Номер продукта	CC12599853
Категория продукта	Массив диода
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Напряжение в Прямом Направлении	1.7 V
Тепловое Сопротивление	1.2 ℃/W
Обратное время восстановления	0 ns
Прямой ток	20 A
Максимальный ток перенапряжения (Ifsm)	40 A
Максимальное прямое напряжение (Макс)	1.7 V
Прямой ток (макс)	20000 mA
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Температура соединения (Макс)	175 ℃
Рабочая Температура	-40℃ ~ 175℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

STPSC2006CW описание продукта

The STPSC2006CW is a Power Schottky Silicon Carbide Diode features ultra high performance. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 600V rating. Due to the Schottky construction no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature. ST SiC diode will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.
No or negligible reverse recovery
Switching behaviour independent of temperature
Particularly suitable in PFC boost diode function

Показывать

STPSC2006CW Даташит PDF

7 страницы, 76 КБ

03/18/2011