STP18NM80 Купить - ST Microelectronics Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

STP18NM80

ST Microelectronics

N-channel 800V, 0.25Ω, 17A, MDmesh™ Power MOSFET in D²PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages

Наличие: 463 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 684.08

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ST Microelectronics

ЧипСити Номер продукта:

CC10538714

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

STP18NM80 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	STP18NM80
Производитель	ST Microelectronics
ЧипСити Номер продукта	CC10538714
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-3
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.25 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	190 W
Пороговое Напряжение	4 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	800 V
Время Нарастания	28 ns
Входная емкость (Ciss)	2070pF @50V(Vds)
Максимальная входная мощность	190 W
Время падения	50 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-65 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	190W (Tc)
Длина	10.4 mm
Ширина	4.6 mm
Высота	15.75 mm
Рабочая Температура	150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
Лицензия HK STC	NLR
	Показывать Просмотр аналоги замена

STP18NM80 описание продукта

Description
These N-channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics’ revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company"s PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST’s proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.
Features
■ 100% avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
Application
■ Switching applications

Показывать

STP18NM80 Даташит PDF

21 страницы, 1016 КБ

просматривать

STP18NM80 Другие Даташит

17 страницы, 191 КБ

04/22/2019

просматривать

STP18NM80 Чертежные схемы

1 страницы, 98 КБ

05/11/2007

просматривать

STP18NM80 Упаковка

21 страницы, 1049 КБ

10/21/2011

просматривать

STP18NM80 Упаковка

21 страницы, 1051 КБ

10/21/2011

просматривать

STP18NM80 Файл уведомления

30 страницы, 325 КБ

04/08/2019

просматривать

STP18NM80 Файл уведомления

9 страницы, 242 КБ

просматривать

STP18NM80 Файл уведомления

4 страницы, 15 КБ

01/29/2013

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/06/17 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H3.53467LO65667V81Q0QC0S0