STGP30M65DF2 Купить - ST Microelectronics Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

Проверка качества компонентов

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Глобальные поставки с
локальной надёжностью

Chipcity принимает
участие в выставке
EXPO ELECTRONICA 2027

13 – 15 АПРЕЛЯ 2027

Москва

STGP30M65DF2

ST Microelectronics

Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Наличие: 447 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 259.73

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

ST Microelectronics

ЧипСити Номер продукта:

CC21951300

Категория продукта:

Транзистор IGBT

Упаковка: TO-220-3

Дата доставки: 7 дней

Оплата:

Обновлено 12.06.2026, 07:48:07(GMT+3)

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

STGP30M65DF2 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	STGP30M65DF2
Производитель	ST Microelectronics
ЧипСити Номер продукта	CC21951300
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-3
Количество Стежков	3 Position
Рассеяние Мощности	258 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	650 V
Обратное время восстановления	140 ns
Максимальная входная мощность	258 W
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	258 W
Длина	10.4 mm
Ширина	4.6 mm
Высота	15.75 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃ (TJ)
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	Compliant with Exemption
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

STGP30M65DF2 описание продукта

Use the STGP30M65DF2 IGBT transistor from STMicroelectronics as an electronic switch. Its maximum power dissipation is 258000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 650 V. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device utilizes field stop|trench technology. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. It is made in a single configuration.

Показывать

STGP30M65DF2 Даташит PDF

17 страницы, 397 КБ

04/13/2015

просматривать

STGP30M65DF2 Даташит PDF

17 страницы, 399 КБ

04/13/2015

просматривать

STGP30M65DF2 Упаковка

16 страницы, 690 КБ

04/12/2017

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2026/06/12 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H1.51606LO65324V41Q2QC0S0