SCT20N120 Купить - ST Microelectronics Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

SCT20N120

ST Microelectronics

Trans MOSFET N-CH 1200V 20A 3Pin HiP247 Tube

Наличие: 929 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 2,002.77

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ST Microelectronics

ЧипСити Номер продукта:

CC9150139

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

SCT20N120 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	SCT20N120
Производитель	ST Microelectronics
ЧипСити Номер продукта	CC9150139
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	215 mΩ
Рассеяние Мощности	175 W
Пороговое Напряжение	2 V
Входная Ёмкость	650 pF
Напряжение Сток-исток (Vds)	1200 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	1.2 kV
Время Нарастания	16 ns
Входная емкость (Ciss)	650pF @400V(Vds)
Время падения	17 ns
Рабочая температура (Макс)	200 ℃
Рабочая температура (мин)	55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	175W (Tc)
Рабочая Температура	-55℃ ~ 200℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

SCT20N120 описание продукта

This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material, combined with the device’s housing in the proprietary HiP247™ package, allows designers to use an industry-standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.
**Key Features**
Very tight variation of on-resistance vs. temperature
Slight variation of switching losses vs. temperature
Very high operating temperature capability (200 °C)
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance
Easy to drive

Показывать

SCT20N120 Даташит PDF

13 страницы, 494 КБ

02/14/2013