RFD14N05LSM9A Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

RFD14N05LSM9A

Fairchild

Trans MOSFET N-CH 50V 14A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

Наличие: 40,209 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 27.44

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC11069000

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

RFD14N05LSM9A характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	RFD14N05LSM9A
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC11069000
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-252-3
Номинальное Напряжение (DC)	50.0 V
Номинальный Ток	14.0 A
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	100 mΩ
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	48 W
Пороговое Напряжение	2 V
Входная Ёмкость	670 pF
Заряд Затвора	40.0 nC
Напряжение Сток-исток (Vds)	50 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	50.0 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±10.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	14.0 mA
Время Нарастания	24 ns
Входная емкость (Ciss)	670pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	48 W
Время падения	16 ns
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	48W (Tc)
Длина	6.73 mm
Ширина	6.22 mm
Высота	2.39 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

RFD14N05LSM9A описание продукта

The RFD14N05LSM9A is a N-channel logic level Power MOSFETs manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. It is designed for use in applications such as switching regulators, switching converters and relay drivers. This performance is accomplished through a special gate oxide design which provides full rated conductance at gate bias in the 3 to 5V range, thereby facilitating true on-off power control directly from logic level (5V) integrated circuits. Formerly developmental type TA09870.
Temperature compensating PSPICE® model
Can be driven directly from CMOS, NMOS and TTL circuits
Peak current vs. pulse width curve
UIS Rating curve

Показывать

RFD14N05LSM9A Даташит PDF

8 страницы, 1569 КБ

11/03/2004