RFD14N05LSM Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

RFD14N05LSM

Fairchild

Trans MOSFET N-CH 50V 14A 3Pin(2+Tab) DPAK Rail

Наличие: 3,427 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки:

Цена: ₽ 36.02

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC15891323

Категория продукта:

Труба MOS

Дата доставки: 7 дней

3D модель

Оплата:

Обновлено 28.04.2026, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

RFD14N05LSM характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	RFD14N05LSM
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC15891323
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-252-3
Номинальное Напряжение (DC)	50.0 V
Номинальный Ток	14.0 A
Номинальная Мощность	14 W
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	100 mΩ
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	48 W
Пороговое Напряжение	2 V
Входная Ёмкость	670 pF
Заряд Затвора	40.0 nC
Напряжение Сток-исток (Vds)	50 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	50.0 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±10.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	14.0 A
Время Нарастания	24 ns
Входная емкость (Ciss)	670pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	48 W
Время падения	16 ns
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	48 W
Длина	6.73 mm
Ширина	6.22 mm
Высота	2.39 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃ (TJ)
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

RFD14N05LSM описание продукта

The RFD14N05LSM is a N-channel logic level Power MOSFET produced using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. They were designed for use in applications such as switching regulators, switching converters and relay drivers. This performance is accomplished through a special gate oxide design which provides full rated conductance at gate bias in the 3V to 5V range, thereby facilitating true on-off power control directly from logic level (5V) integrated circuits.
Temperature compensating PSPICE® model
Can be driven directly from CMOS, NMOS and TTL circuits
Peak current vs pulse width curve
UIS rating curve

Показывать

RFD14N05LSM Даташит PDF

8 страницы, 1569 КБ

11/03/2004