BOM Цитировать
| Атрибут | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Номенклатура | PBHV8215Z,115 | |
| Производитель | NXP | |
| ЧипСити Номер продукта | CC121931736 | |
| Жизненный Цикл Продукта | Active | |
| Категория продукта | Двухполюсный плоскостной транзистор | |
| Даташит | Datasheet | |
| 3D модель | 3D модель | |
| Стиль Монтажа | Surface Mount | |
| Количество Выводов | 4 Pin | |
| Корпус/Пакет | TO-261-4 | |
| Количество Стежков | 4 Position | |
| Полярность | NPN | |
| Рассеяние Мощности | 730 mW | |
| Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер) | 150 V | |
| Непрерывный ток коллектора | 2A | |
| hFE Min | 100 @1A, 10V | |
| hFE Max | 240 | |
| Максимальная входная мощность | 1.45 W | |
| Усиление постоянного тока (hFE) | 240 | |
| Рабочая температура (Макс) | 150 ℃ | |
| Рабочая температура (мин) | -55 ℃ | |
| Рассеиваемая Мощность (Макс) | 1450 mW | |
| Рабочая Температура | 150℃ (TJ) | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
| Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
| REACH SVHC Комплаенс | No SVHC | |
| REACH SVHC Compliance Edition | 2015/12/17 | |
|
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
