NTHD2102PT1 Купить - ON Semiconductor Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

Проверка качества компонентов

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Глобальные поставки с
локальной надёжностью

Chipcity принимает
участие в выставке
EXPO ELECTRONICA 2027

13 – 15 АПРЕЛЯ 2027

Москва

NTHD2102PT1

ON Semiconductor

Power MOSFET 8V 4.6A 62mOhm Dual P-Channel ChipFET

Наличие: 41,296 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 18.71

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

ON Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC135418321

Категория продукта:

Труба MOS

Упаковка: SMD-8

Дата доставки: 7 дней

Оплата:

Обновлено 26.06.2026, 07:48:07(GMT+3)

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

NTHD2102PT1 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	NTHD2102PT1
Производитель	ON Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC135418321
Жизненный Цикл Продукта	Obsolete
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
Стиль Монтажа	Surface Mount
Корпус/Пакет	SMD-8
Номинальное Напряжение (DC)	-8.00 V
Номинальный Ток	-3.40 A
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	100 mΩ
Полярность	P-Channel
Рассеяние Мощности	1.10 W
Напряжение Сток-исток (Vds)	8 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±8.00 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	3.40 A
Время Нарастания	20.0 ns
Входная емкость (Ciss)	715pF @6.4V(Vds)
Максимальная входная мощность	1.1 W
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	Non-Compliant
Бессвинцовая Статус	Contains Lead
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

NTHD2102PT1 описание продукта

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 3.4A 1.1W Surface Mount ChipFET™

Показывать

NTHD2102PT1 Даташит PDF

6 страницы, 64 КБ

11/01/2005

просматривать

NTHD2102PT1 Даташит PDF

6 страницы, 179 КБ

просматривать

NTHD2102PT1 Другие Даташит

24 страницы, 575 КБ

11/09/2010

просматривать

NTHD2102PT1 Другие Даташит

8 страницы, 137 КБ

11/01/2005

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2026/06/26 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H0.45LO0V3Q0QC0S1