NSS1C301ET4G Купить - ON Semiconductor Двухполюсный плоскостной транзистор

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

NSS1C301ET4G

ON Semiconductor

DPAK NPN 100V 3A

Наличие: 41,186 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 41.35

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ON Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC47142842

Категория продукта:

Двухполюсный плоскостной транзистор

3D модель

Оплата:

Обновлено 03.08.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

NSS1C301ET4G характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	NSS1C301ET4G
Производитель	ON Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC47142842
Категория продукта	Двухполюсный плоскостной транзистор
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-252-3
Частота	120 MHz
Безгалогеновый Статус	Halogen Free
Количество Стежков	3 Position
Полярность	NPN
Рассеяние Мощности	33 W
Произведение Коэффициента Усиления на Ширину Полосы Пропускания	120 MHz
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	100 V
Непрерывный ток коллектора	3A
hFE Min	120 @1A, 2V
hFE Max	360
Максимальная входная мощность	2.1 W
Усиление постоянного тока (hFE)	80
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	65 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	2100 mW
Рабочая Температура	-65℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

NSS1C301ET4G описание продукта

The versatility of this NPN NSS1C301ET4G GP BJT from ON Semiconductor makes it capable of being use as either a switch or amplifier in your circuit. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 1400 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 100 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.

Показывать

NSS1C301ET4G Даташит PDF

6 страницы, 74 КБ

просматривать

NSS1C301ET4G Даташит PDF

6 страницы, 152 КБ

03/28/2021

просматривать

NSS1C301ET4G Другие Даташит

6 страницы, 378 КБ

08/29/2017

просматривать

NSS1C301ET4G Другие Даташит

6 страницы, 161 КБ

03/28/2016

просматривать

NSS1C301ET4G Другие Даташит

5 страницы, 72 КБ

03/28/2016

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/08/03 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H1.78077LO62627V28Q0QC0S0