NDT3055L Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

NDT3055L

Fairchild

Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4Pin(3+Tab) SOT-223 Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4Pin(3+Tab) SOT-223

Наличие: 1,056 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 37.63

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC7697959

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

NDT3055L характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	NDT3055L
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC7697959
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	4 Pin
Корпус/Пакет	TO-261-4
Номинальное Напряжение (DC)	60.0 V
Номинальный Ток	3.50 A
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	4 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.07 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	3 W
Пороговое Напряжение	1.6 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	60 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	60 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±20.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	4.00 A
Время Нарастания	7.5 ns
Входная емкость (Ciss)	345pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	1.1 W
Время падения	7 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-65 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	3000 mW
Длина	6.5 mm
Ширина	3.5 mm
Высота	1.6 mm
Рабочая Температура	-65℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
Лицензия HK STC	NLR
	Показывать Просмотр аналоги замена

NDT3055L описание продукта

The NDT3055L is a N-channel logic level enhancement mould MOSFET using high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation modes. These devices are particularly suited for low voltage applications such as DC/DC converters, PWM motor controls and other battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss and resistance to transients are needed.
High density cell design for extremely low RDS (ON)
High power and current handling capability
Low drive requirements allowing operation directly from logic drivers

Показывать

NDT3055L Даташит PDF

5 страницы, 85 КБ