BOM Цитировать
| Атрибут | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Номенклатура | MJ11032G | |
| Производитель | ON Semiconductor | |
| ЧипСити Номер продукта | CC803593 | |
| Категория продукта | Двухполюсный плоскостной транзистор | |
| Даташит | Datasheet | |
| 3D модель | 3D модель | |
| Стиль Монтажа | Through Hole | |
| Количество Выводов | 2 Pin | |
| Корпус/Пакет | TO-204-2 | |
| Номинальное Напряжение (DC) | 120 V | |
| Номинальный Ток | 50.0 A | |
| Номинальная Мощность | 300 W | |
| Выходное Напряжение | 120 V | |
| Выходной Ток | 50 A | |
| Количество Стежков | 2 Position | |
| Полярность | NPN | |
| Рассеяние Мощности | 300 W | |
| Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер) | 120 V | |
| Непрерывный ток коллектора | 50A | |
| hFE Min | 1000 | |
| hFE Max | 18000 | |
| Максимальная входная мощность | 300 W | |
| Усиление постоянного тока (hFE) | 18000 | |
| Рабочая температура (Макс) | 200 ℃ | |
| Рабочая температура (мин) | -55 ℃ | |
| Рассеиваемая Мощность (Макс) | 300000 mW | |
| Входное напряжение | 5 V | |
| Длина | 38.86 mm | |
| Ширина | 26.67 mm | |
| Высота | 8.51 mm | |
| Рабочая Температура | -55℃ ~ 200℃ (TJ) | |
| Жизненный Цикл Продукта | Active | |
| Упаковка | Tray | |
| RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
| Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
| REACH SVHC Комплаенс | No SVHC | |
| ECCN кодекс | EAR99 | |
|
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
Поиск деталей онлайн
