Атрибут | Значение атрибута | |
---|---|---|
Номенклатура | IXGN200N60B3 | |
Производитель | IXYS Semiconductor | |
ЧипСити Номер продукта | CC14456630 | |
Категория продукта | Транзистор IGBT | |
Даташит | Datasheet | |
3D модель | 3D модель | |
Стиль Монтажа | Screw | |
Количество Выводов | 4 Pin | |
Корпус/Пакет | SOT-227-4 | |
Номинальная Мощность | 830 W | |
Количество Стежков | 4 Position | |
Рассеяние Мощности | 830 W | |
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер) | 600 V | |
Входная емкость (Cies) | 26nF @25V | |
Максимальная входная мощность | 830 W | |
Рабочая температура (Макс) | 150 ℃ | |
Рабочая температура (мин) | -55 ℃ | |
Рассеиваемая Мощность (Макс) | 830000 mW | |
Рабочая Температура | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | |
Жизненный Цикл Продукта | Active | |
Упаковка | Bulk | |
RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
ECCN кодекс | EAR99 | |
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
Поиск деталей онлайн