IXFK80N60P3 Купить - IXYS Semiconductor Высоковольтное MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IXFK80N60P3

IXYS Semiconductor

TO-264AA N-CH 600V 80A

Наличие: 992 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 686.51

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

IXYS Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC51320203

Категория продукта:

Высоковольтное MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 01.08.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IXFK80N60P3 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IXFK80N60P3
Производитель	IXYS Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC51320203
Категория продукта	Высоковольтное MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-264-3
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.077 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	1.3 kW
Пороговое Напряжение	5 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	600 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	80A
Время Нарастания	25 ns
Входная емкость (Ciss)	13100pF @25V(Vds)
Время падения	8 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1300W (Tc)
Длина	19.96 mm
Ширина	5.13 mm
Высота	26.16 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
	Показывать Просмотр аналоги замена

IXFK80N60P3 описание продукта

The IXFK80N60P3 is a 600V N-channel Enhancement Mode Polar3™ Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™) and low RDS (on). The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.
Dynamic dV/dt rating
Avalanche rated
Low Qg
Low drain-to-tab capacitance
Low inductance
Easy to mount
Space-saving s

Показывать

IXFK80N60P3 Даташит PDF

5 страницы, 125 КБ

04/29/2014

просматривать

IXFK80N60P3 Даташит PDF

5 страницы, 138 КБ

04/01/2012

просматривать

IXFK80N60P3 Даташит PDF

6 страницы, 131 КБ

02/05/2014

просматривать

IXFK80N60P3 Другие Даташит

5 страницы, 125 КБ

04/29/2014

просматривать

IXFK80N60P3 Другие Даташит

5 страницы, 132 КБ

03/23/2011

просматривать

IXFK80N60P3 Другие Даташит

2 страницы, 250 КБ

02/23/2012

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/08/01 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H2.11476LO59401V31Q0QC0S0