IXFH58N20 Купить - IXYS Semiconductor Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IXFH58N20

IXYS Semiconductor

TO-247AD N-CH 200V 58A

Наличие: 16,000 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 742.35

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

IXYS Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC35054786

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IXFH58N20 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IXFH58N20
Производитель	IXYS Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC35054786
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Номинальное Напряжение (DC)	200 V
Номинальный Ток	58.0 A
Номинальная Мощность	300 W
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.04 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	300 W
Пороговое Напряжение	4 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	200 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	58.0 A
Время Нарастания	15 ns
Входная емкость (Ciss)	4400pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	300 W
Время падения	16 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	300W (Tc)
Материал	Silicon
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IXFH58N20 описание продукта

The IXFH58N20 is a 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™) and low RDS (on) HDMOS™ process. The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
Low inductance offers easy to drive and protect
Fast intrinsic rectifier
Space-saving s
High power density

Показывать

IXFH58N20 Даташит PDF

4 страницы, 105 КБ

09/25/2000

просматривать

IXFH58N20 Даташит PDF

4 страницы, 112 КБ

03/28/2012

просматривать

IXFH58N20 Другие Даташит

20 страницы, 2663 КБ

04/26/2004

просматривать

IXFH58N20 Другие Даташит

10 страницы, 171 КБ

10/07/2015

просматривать

IXFH58N20 Другие Даташит

5 страницы, 47 КБ

09/28/2008

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/06/17 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H2.95999LO44907V26Q0QC0S0