IXFH26N60Q Купить - IXYS Semiconductor Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IXFH26N60Q

IXYS Semiconductor

TO-247AD N-CH 600V 26A

Наличие: 39,472 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 1,126.46

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

IXYS Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC47514491

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IXFH26N60Q характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IXFH26N60Q
Производитель	IXYS Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC47514491
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Номинальное Напряжение (DC)	600 V
Номинальный Ток	26.0 A
Номинальная Мощность	360 W
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.25 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	360 W
Пороговое Напряжение	4.5 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	600 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	26.0 A
Время Нарастания	32 ns
Входная емкость (Ciss)	5100pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	360 W
Время падения	16 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Температура соединения (Макс)	150 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	360W (Tc)
Ширина	5.3 mm
Материал	Silicon
Вес	6 g
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
	Показывать Просмотр аналоги замена

IXFH26N60Q описание продукта

The IXFH26N60Q is a Q-class HiPerFET™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic rectifier.
Low gate charge
International standard package
UL94V-0 Flammability rating
Low RDS (ON) HDMOS™ process
Rugged polysilicon gate cell structure
Avalanche energy and current rated
Easy to mount
Space savings
High power density

Показывать

IXFH26N60Q Даташит PDF

2 страницы, 111 КБ

03/28/2012

просматривать

IXFH26N60Q Даташит PDF

3 страницы, 107 КБ

02/14/2016

просматривать

IXFH26N60Q Даташит PDF

2 страницы, 228 КБ

просматривать

IXFH26N60Q Другие Даташит

20 страницы, 2663 КБ

04/26/2004

просматривать

IXFH26N60Q Другие Даташит

4 страницы, 164 КБ

04/22/2003

просматривать

IXFH26N60Q Другие Даташит

2 страницы, 108 КБ

06/25/2002

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/06/17 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H2.37313LO25681V54Q0QC0S2