IXA60IF1200NA Купить - IXYS Semiconductor Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IXA60IF1200NA

IXYS Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 88A 290000mW 4Pin SOT-227B Tube

Наличие: 294 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 3,694.62

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

IXYS Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC41297796

Категория продукта:

Транзистор IGBT

3D модель

Оплата:

Обновлено 12.08.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IXA60IF1200NA характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IXA60IF1200NA
Производитель	IXYS Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC41297796
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	4 Pin
Корпус/Пакет	SOT-227-4
Количество Стежков	4 Position
Рассеяние Мощности	290 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	1200 V
Максимальная входная мощность	290 W
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	290 W
Длина	38.23 mm
Ширина	25.25 mm
Высота	9.6 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2014/06/16
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IXA60IF1200NA описание продукта

The IXA60IF1200NA is a 1200V XPT IGBT with SONIC™ diode and Extreme-light Punch-Through (XPT™) thin wafer technology. Rugged XPT design results in short circuit rated for 10µsec, very low gate charge and low EMI. The thin wafer technology combined with the XPT design results in a competitive low VCE (sat). SONIC™ diode offers fast and soft reverse recovery as well low operating forward voltage.
Easy to parallel due to the positive temperature coefficient of the on-state voltage
Reduced thermal resistance
Low energy losses
Fast switching
Low tail current
High power density
Square Reverse Bias Safe Operating Areas (RBSOA) up to breakdown voltages
Short circuit capability

Показывать

IXA60IF1200NA Даташит PDF

7 страницы, 153 КБ

02/05/2016

просматривать

IXA60IF1200NA Другие Даташит

16 страницы, 134 КБ

просматривать

IXA60IF1200NA Другие Даташит

6 страницы, 152 КБ

07/08/2014

просматривать

IXA60IF1200NA Другие Даташит

6 страницы, 153 КБ

12/20/2013

просматривать

IXA60IF1200NA Другие Даташит

6 страницы, 143 КБ

07/02/2010

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/08/12 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H2.13302LO30927V63Q0QC0S0